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Tokmas CID18N65D


Produttore
Codice Parte Mfr.
CID18N65D
Codice Parte EBEE
E822446733
Confezione
DFN-8(8x8)
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino: 937
Minimo: 1Multipli: 1
Prezzo Unitario
$ 1.5716
Prezzo Tot.
$ 1.5716
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$1.5716$ 1.5716
10+$1.3266$ 13.2660
30+$1.1923$ 35.7690
100+$1.0417$ 104.1700
500+$0.9728$ 486.4000
1000+$0.9437$ 943.7000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT)
Scheda TecnicaTokmas CID18N65D
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
La dissipazione di potenza113W
Carica totale del cancello3.3nC
Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato-
Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato-
Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato100mΩ
Tensione di rottura della fonte di drenaggio650V
Resistenza allo stato di drenaggio (8V)-
Percorso tecnico-
Tipo del transistor1 N-Channel
Corrente di scarico continuo17A
Tensione della soglia del portoneu200b1.7V
Reverse Transfer Capacitance0.5pF
La capacità di ingresso125pF

Guida all’acquisto

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