| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CID18N65D |
| Codice Parte EBEE | E822446733 |
| Confezione | DFN-8(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5716 | $ 1.5716 |
| 10+ | $1.3266 | $ 13.2660 |
| 30+ | $1.1923 | $ 35.7690 |
| 100+ | $1.0417 | $ 104.1700 |
| 500+ | $0.9728 | $ 486.4000 |
| 1000+ | $0.9437 | $ 943.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CID18N65D | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| La dissipazione di potenza | 113W | |
| Carica totale del cancello | 3.3nC | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | 100mΩ | |
| Tensione di rottura della fonte di drenaggio | 650V | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (8V) | - | |
| Percorso tecnico | - | |
| Tipo del transistor | 1 N-Channel | |
| Corrente di scarico continuo | 17A | |
| Tensione della soglia del portoneu200b | 1.7V | |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.5pF | |
| La capacità di ingresso | 125pF |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5716 | $ 1.5716 |
| 10+ | $1.3266 | $ 13.2660 |
| 30+ | $1.1923 | $ 35.7690 |
| 100+ | $1.0417 | $ 104.1700 |
| 500+ | $0.9728 | $ 486.4000 |
| 1000+ | $0.9437 | $ 943.7000 |
