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NITRIDE YHJ-65H225AMC
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YHJ-65H225AMC |
| Codice Parte EBEE | E822458937 |
| Confezione | DFN-8(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 10+ | $0.5848 | $ 5.8480 |
| 30+ | $0.5498 | $ 16.4940 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | NITRIDE YHJ-65H225AMC | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 215mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 90pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.6nC |
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