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HXY MOSFET HCG65200DAA
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HCG65200DAA |
| Codice Parte EBEE | E822396442 |
| Confezione | DFN-8(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HCG65200DAA | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 160mΩ | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V |
Guida all’acquisto
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