| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HCG65140DBA |
| Codice Parte EBEE | E822396445 |
| Confezione | DFN-8L(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8L(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4518 | $ 3.4518 |
| 10+ | $3.0077 | $ 30.0770 |
| 30+ | $2.7430 | $ 82.2900 |
| 100+ | $2.4747 | $ 247.4700 |
| 500+ | $2.3514 | $ 1175.7000 |
| 1000+ | $2.2952 | $ 2295.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HCG65140DBA | |
| RoHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4518 | $ 3.4518 |
| 10+ | $3.0077 | $ 30.0770 |
| 30+ | $2.7430 | $ 82.2900 |
| 100+ | $2.4747 | $ 247.4700 |
| 500+ | $2.3514 | $ 1175.7000 |
| 1000+ | $2.2952 | $ 2295.2000 |
