Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Tokmas CID10N65D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CID10N65D |
| Codice Parte EBEE | E822446730 |
| Confezione | DFN-8(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>732 In Magazzino per Consegna Rapida
732 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8532 | $ 0.8532 |
| 10+ | $0.7658 | $ 7.6580 |
| 30+ | $0.7166 | $ 21.4980 |
| 100+ | $0.6626 | $ 66.2600 |
| 500+ | $0.6387 | $ 319.3500 |
| 1000+ | $0.6276 | $ 627.6000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CID10N65D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Guida all’acquisto
Espandi
732 Stock for Shipping Fast
732 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8532 | $ 0.8532 |
| 10+ | $0.7658 | $ 7.6580 |
| 30+ | $0.7166 | $ 21.4980 |
| 100+ | $0.6626 | $ 66.2600 |
| 500+ | $0.6387 | $ 319.3500 |
| 1000+ | $0.6276 | $ 627.6000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
