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HXY MOSFET HCG65200DBA
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HCG65200DBA |
| Codice Parte EBEE | E822396443 |
| Confezione | DFN-8L(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8L(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 10+ | $2.9220 | $ 29.2200 |
| 30+ | $2.6277 | $ 78.8310 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HCG65200DBA | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
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