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Tokmas CID12N65D(TOKMAS)
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CID12N65D(TOKMAS) |
| Codice Parte EBEE | E821547657 |
| Confezione | DFN-10(6x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-10(6x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0717 | $ 1.0717 |
| 10+ | $0.8733 | $ 8.7330 |
| 30+ | $0.7733 | $ 23.1990 |
| 100+ | $0.6748 | $ 67.4800 |
| 500+ | $0.6161 | $ 308.0500 |
| 1000+ | $0.5843 | $ 584.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CID12N65D(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 138mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+125℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.5A | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF |
Guida all’acquisto
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