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Tokmas CID10N65D5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CID10N65D5 |
| Codice Parte EBEE | E822446731 |
| Confezione | DFN-8(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8932 | $ 0.8932 |
| 10+ | $0.7108 | $ 7.1080 |
| 30+ | $0.6204 | $ 18.6120 |
| 100+ | $0.5550 | $ 55.5000 |
| 500+ | $0.5004 | $ 250.2000 |
| 1000+ | $0.4724 | $ 472.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CID10N65D5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
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| 1+ | $0.8932 | $ 0.8932 |
| 10+ | $0.7108 | $ 7.1080 |
| 30+ | $0.6204 | $ 18.6120 |
| 100+ | $0.5550 | $ 55.5000 |
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