| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GBG65200NMAR |
| Codice Parte EBEE | E828324645 |
| Confezione | PDFN-9L(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3381 | $ 2.3381 |
| 10+ | $2.0247 | $ 20.2470 |
| 30+ | $1.8284 | $ 54.8520 |
| 100+ | $1.6284 | $ 162.8400 |
| 500+ | $1.5384 | $ 769.2000 |
| 1000+ | $1.4987 | $ 1498.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3381 | $ 2.3381 |
| 10+ | $2.0247 | $ 20.2470 |
| 30+ | $1.8284 | $ 54.8520 |
| 100+ | $1.6284 | $ 162.8400 |
| 500+ | $1.5384 | $ 769.2000 |
| 1000+ | $1.4987 | $ 1498.7000 |
