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Tokmas CID45N65MD
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CID45N65MD |
| Codice Parte EBEE | E841369700 |
| Confezione | TOLT-16 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TOLT-16 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| 1+ | $5.9444 | $ 5.9444 |
| 10+ | $5.1204 | $ 51.2040 |
| 30+ | $4.6186 | $ 138.5580 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CID45N65MD | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 35mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.26pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 443pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 135pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
Guida all’acquisto
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