10% off
Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
NITRIDE YHJ-65H225DDC
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YHJ-65H225DDC |
| Codice Parte EBEE | E822458938 |
| Confezione | DFN-8(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>328 In Magazzino per Consegna Rapida
328 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8942 | $ 0.8942 |
| 10+ | $0.7391 | $ 7.3910 |
| 30+ | $0.6545 | $ 19.6350 |
| 100+ | $0.5583 | $ 55.8300 |
| 500+ | $0.5153 | $ 257.6500 |
| 1000+ | $0.4952 | $ 495.2000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | NITRIDE YHJ-65H225DDC | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 215mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 90pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.6nC |
Guida all’acquisto
Espandi
328 Stock for Shipping Fast
328 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8942 | $ 0.8942 |
| 10+ | $0.7391 | $ 7.3910 |
| 30+ | $0.6545 | $ 19.6350 |
| 100+ | $0.5583 | $ 55.8300 |
| 500+ | $0.5153 | $ 257.6500 |
| 1000+ | $0.4952 | $ 495.2000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
