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HXY MOSFET HIGLD60R190D1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HIGLD60R190D1 |
| Codice Parte EBEE | E841426365 |
| Confezione | DFN-8(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino: 196
Minimo: 1Multipli: 1
Prezzo Unitario
$ 11.6768
Prezzo Tot.
$ 11.6768
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6768 | $ 11.6768 |
| 10+ | $10.2731 | $ 102.7310 |
| 30+ | $9.4188 | $ 282.5640 |
| 100+ | $8.7015 | $ 870.1500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 75W | |
| Carica totale del cancello | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | 160mΩ | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Tensione di rottura della fonte di drenaggio | - | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (8V) | - | |
| Percorso tecnico | - | |
| Tipo del transistor | 1 N-Channel | |
| Corrente di scarico continuo | 10A | |
| Tensione della soglia del portoneu200b | 650V |
Guida all’acquisto
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In Magazzino: 196
Minimo: 1Multipli: 1
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|---|---|---|
| 1+ | $11.6768 | $ 11.6768 |
| 10+ | $10.2731 | $ 102.7310 |
| 30+ | $9.4188 | $ 282.5640 |
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