Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Tokmas CID10N65F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CID10N65F |
| Codice Parte EBEE | E822446732 |
| Confezione | TO-220F-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-220F-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>430 In Magazzino per Consegna Rapida
430 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0766 | $ 1.0766 |
| 10+ | $0.8814 | $ 8.8140 |
| 50+ | $0.7746 | $ 38.7300 |
| 100+ | $0.6537 | $ 65.3700 |
| 500+ | $0.5995 | $ 299.7500 |
| 1000+ | $0.5747 | $ 574.7000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CID10N65F | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@6V | |
| Operating Temperature - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Guida all’acquisto
Espandi
430 Stock for Shipping Fast
430 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0766 | $ 1.0766 |
| 10+ | $0.8814 | $ 8.8140 |
| 50+ | $0.7746 | $ 38.7300 |
| 100+ | $0.6537 | $ 65.3700 |
| 500+ | $0.5995 | $ 299.7500 |
| 1000+ | $0.5747 | $ 574.7000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
