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PN Junction Semiconductor P1H06300D8
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P1H06300D8 |
| Codice Parte EBEE | E85840753 |
| Confezione | DFN8080-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | DFN8080-8 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P1H06300D8 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| La dissipazione di potenza | 55.5W | |
| Tensione di rottura della fonte di drenaggio | 650V | |
| Tipo del transistor | 1 N-Channel | |
| Corrente di scarico continuo | 10A |
Guida all’acquisto
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