| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | A3G26H501W17SR3 |
| Codice Parte EBEE | E83282571 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $327.2558 | $ 327.2558 |
| 250+ | $126.6438 | $ 31660.9500 |
| 500+ | $122.1936 | $ 61096.8000 |
| 1000+ | $119.9950 | $ 119995.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | NXP Semicon A3G26H501W17SR3 | |
| RoHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $327.2558 | $ 327.2558 |
| 250+ | $126.6438 | $ 31660.9500 |
| 500+ | $122.1936 | $ 61096.8000 |
| 1000+ | $119.9950 | $ 119995.0000 |
