| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | A3G18H500-04SR3 |
| Codice Parte EBEE | E85196407 |
| Confezione | SOT-1826-1 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | SOT-1826-1 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | NXP Semicon A3G18H500-04SR3 | |
| RoHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
