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NITRIDE YHJ-65P150TK
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YHJ-65P150TK |
| Codice Parte EBEE | E841371701 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-220 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | NITRIDE YHJ-65P150TK | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 150mΩ@6V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 505pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 29pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC |
Guida all’acquisto
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