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NITRIDE YHJ-65P150AMC


Produttore
Codice Parte Mfr.
YHJ-65P150AMC
Codice Parte EBEE
E822458936
Confezione
DFN-8(8x8)
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino: 2216
Minimo: 1Multipli: 1
Prezzo Unitario
$ 1.3691
Prezzo Tot.
$ 1.3691
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$1.3691$ 1.3691
10+$1.1637$ 11.6370
30+$1.0502$ 31.5060
100+$0.9223$ 92.2300
500+$0.8665$ 433.2500
1000+$0.8412$ 841.2000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT)
Scheda TecnicaNITRIDE YHJ-65P150AMC
RoHS
La dissipazione di potenza-
Carica totale del cancello10nC
Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato-
Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato-
Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato-
Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato150mΩ
Tensione di rottura della fonte di drenaggio650V
Resistenza allo stato di drenaggio (8V)-
Percorso tecnicoVertical Process
Tipo del transistor-
Corrente di scarico continuo12A
Tensione della soglia del portoneu200b-

Guida all’acquisto

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