| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YHJ-65P150AMC |
| Codice Parte EBEE | E822458936 |
| Confezione | DFN-8(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3691 | $ 1.3691 |
| 10+ | $1.1637 | $ 11.6370 |
| 30+ | $1.0502 | $ 31.5060 |
| 100+ | $0.9223 | $ 92.2300 |
| 500+ | $0.8665 | $ 433.2500 |
| 1000+ | $0.8412 | $ 841.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | NITRIDE YHJ-65P150AMC | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | - | |
| Carica totale del cancello | 10nC | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | - | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza dello stato | 150mΩ | |
| Tensione di rottura della fonte di drenaggio | 650V | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (8V) | - | |
| Percorso tecnico | Vertical Process | |
| Tipo del transistor | - | |
| Corrente di scarico continuo | 12A | |
| Tensione della soglia del portoneu200b | - |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3691 | $ 1.3691 |
| 10+ | $1.1637 | $ 11.6370 |
| 30+ | $1.0502 | $ 31.5060 |
| 100+ | $0.9223 | $ 92.2300 |
| 500+ | $0.8665 | $ 433.2500 |
| 1000+ | $0.8412 | $ 841.2000 |
