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NITRIDE YHJ-65P080DA
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YHJ-65P080DA |
| Codice Parte EBEE | E837328928 |
| Confezione | DFN-8(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi di nitrido di gallio (GaN) ,Transistitori GaN (GaN HEMT) | |
| Scheda Tecnica | NITRIDE YHJ-65P080DA | |
| RoHS |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
