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Tokmas CID18N65D


メーカー
メーカー部品番号
CID18N65D
EBEE部品番号
E822446733
パッケージ
DFN-8(8x8)
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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723 在庫あり 即時出荷可能
723 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$1.2596$ 1.2596
10+$1.0354$ 10.3540
30+$0.9124$ 27.3720
100+$0.7878$ 78.7800
500+$0.7255$ 362.7500
1000+$0.6975$ 697.5000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリGallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT)
データシートTokmas CID18N65D
RoHS
Type1 N-channel
RDS(on)100mΩ@10V
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)0.5pF
Pd - Power Dissipation113W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.7V
Current - Continuous Drain(Id)17A
Ciss-Input Capacitance125pF
Gate Charge(Qg)3.3nC

ショッピングガイド

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