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HXY MOSFET HIGLD60R190D1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HIGLD60R190D1 |
| EBEE部品番号 | E841426365 |
| パッケージ | DFN-8(8x8) |
| 顧客番号 | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>在庫あり: 196
最小: 1倍数: 1
単価
$ 11.6768
合計価格
$ 11.6768
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6768 | $ 11.6768 |
| 10+ | $10.2731 | $ 102.7310 |
| 30+ | $9.4188 | $ 282.5640 |
| 100+ | $8.7015 | $ 870.1500 |
数量が多い場合の最良価格？
$
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 75W | |
| トータルゲートチャージ | - | |
| 排水源のオン状態の抵抗 | - | |
| 排水源のオン状態の抵抗 | - | |
| 排水源のオン状態の抵抗 | 160mΩ | |
| 排水源のオン状態の抵抗 | - | |
| 排水源の故障電圧 | - | |
| 排水源 オン状態抵抗(8V) | - | |
| テクニカルルート | - | |
| トランジスタタイプ | 1 N-Channel | |
| 連続的な排水の流れ | 10A | |
| ゲートスレッシュホールド Voltageu200b | 650V |
ショッピングガイド
展開
在庫あり: 196
最小: 1倍数: 1
単価
$ 11.6768
合計価格
$ 11.6768
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6768 | $ 11.6768 |
| 10+ | $10.2731 | $ 102.7310 |
| 30+ | $9.4188 | $ 282.5640 |
| 100+ | $8.7015 | $ 870.1500 |
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