| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HCG65140DBA |
| EBEE部品番号 | E822396445 |
| パッケージ | DFN-8L(5x6) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-8L(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4518 | $ 3.4518 |
| 10+ | $3.0077 | $ 30.0770 |
| 30+ | $2.7430 | $ 82.2900 |
| 100+ | $2.4747 | $ 247.4700 |
| 500+ | $2.3514 | $ 1175.7000 |
| 1000+ | $2.2952 | $ 2295.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | HXY MOSFET HCG65140DBA | |
| RoHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4518 | $ 3.4518 |
| 10+ | $3.0077 | $ 30.0770 |
| 30+ | $2.7430 | $ 82.2900 |
| 100+ | $2.4747 | $ 247.4700 |
| 500+ | $2.3514 | $ 1175.7000 |
| 1000+ | $2.2952 | $ 2295.2000 |
