| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CID12N65D(TOKMAS) |
| EBEE部品番号 | E821547657 |
| パッケージ | DFN-10(6x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-10(6x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0717 | $ 1.0717 |
| 10+ | $0.8733 | $ 8.7330 |
| 30+ | $0.7733 | $ 23.1990 |
| 100+ | $0.6748 | $ 67.4800 |
| 500+ | $0.6161 | $ 308.0500 |
| 1000+ | $0.5843 | $ 584.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | Tokmas CID12N65D(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 138mΩ | |
| 動作温度 - | -40℃~+125℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.5A | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0717 | $ 1.0717 |
| 10+ | $0.8733 | $ 8.7330 |
| 30+ | $0.7733 | $ 23.1990 |
| 100+ | $0.6748 | $ 67.4800 |
| 500+ | $0.6161 | $ 308.0500 |
| 1000+ | $0.5843 | $ 584.3000 |
