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NITRIDE YHJ-65H225AMC
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YHJ-65H225AMC |
| EBEE部品番号 | E822458937 |
| パッケージ | DFN-8(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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2273 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6479 | $ 0.6479 |
| 10+ | $0.5848 | $ 5.8480 |
| 30+ | $0.5498 | $ 16.4940 |
| 100+ | $0.5105 | $ 51.0500 |
| 500+ | $0.4937 | $ 246.8500 |
| 1000+ | $0.4853 | $ 485.3000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| データシート | NITRIDE YHJ-65H225AMC | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 215mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 90pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.6nC |
ショッピングガイド
展開
2273 Stock for Shipping Fast
2273 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6479 | $ 0.6479 |
| 10+ | $0.5848 | $ 5.8480 |
| 30+ | $0.5498 | $ 16.4940 |
| 100+ | $0.5105 | $ 51.0500 |
| 500+ | $0.4937 | $ 246.8500 |
| 1000+ | $0.4853 | $ 485.3000 |
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