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GOSEMICON GBG65200NMAR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GBG65200NMAR |
| EBEE部品番号 | E828324645 |
| パッケージ | PDFN-9L(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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427 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3418 | $ 1.3418 |
| 10+ | $1.1097 | $ 11.0970 |
| 30+ | $0.9824 | $ 29.4720 |
| 100+ | $0.8387 | $ 83.8700 |
| 500+ | $0.7743 | $ 387.1500 |
| 1000+ | $0.7458 | $ 745.8000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| データシート | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 140mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 68pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.9nC |
ショッピングガイド
展開
427 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3418 | $ 1.3418 |
| 10+ | $1.1097 | $ 11.0970 |
| 30+ | $0.9824 | $ 29.4720 |
| 100+ | $0.8387 | $ 83.8700 |
| 500+ | $0.7743 | $ 387.1500 |
| 1000+ | $0.7458 | $ 745.8000 |
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