| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GBG65200NMAR |
| EBEE部品番号 | E828324645 |
| パッケージ | PDFN-9L(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3381 | $ 2.3381 |
| 10+ | $2.0247 | $ 20.2470 |
| 30+ | $1.8284 | $ 54.8520 |
| 100+ | $1.6284 | $ 162.8400 |
| 500+ | $1.5384 | $ 769.2000 |
| 1000+ | $1.4987 | $ 1498.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3381 | $ 2.3381 |
| 10+ | $2.0247 | $ 20.2470 |
| 30+ | $1.8284 | $ 54.8520 |
| 100+ | $1.6284 | $ 162.8400 |
| 500+ | $1.5384 | $ 769.2000 |
| 1000+ | $1.4987 | $ 1498.7000 |
