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Tokmas CID10N65D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CID10N65D |
| EBEE部品番号 | E822446730 |
| パッケージ | DFN-8(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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732 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8532 | $ 0.8532 |
| 10+ | $0.7658 | $ 7.6580 |
| 30+ | $0.7166 | $ 21.4980 |
| 100+ | $0.6626 | $ 66.2600 |
| 500+ | $0.6387 | $ 319.3500 |
| 1000+ | $0.6276 | $ 627.6000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | Tokmas CID10N65D | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 160mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
ショッピングガイド
展開
732 Stock for Shipping Fast
732 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8532 | $ 0.8532 |
| 10+ | $0.7658 | $ 7.6580 |
| 30+ | $0.7166 | $ 21.4980 |
| 100+ | $0.6626 | $ 66.2600 |
| 500+ | $0.6387 | $ 319.3500 |
| 1000+ | $0.6276 | $ 627.6000 |
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