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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HCG65200DAA |
| EBEE部品番号 | E822396442 |
| パッケージ | DFN-8(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6859 | $ 2.6859 |
| 10+ | $2.6226 | $ 26.2260 |
| 30+ | $2.5794 | $ 77.3820 |
| 100+ | $2.5378 | $ 253.7800 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | HXY MOSFET HCG65200DAA | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 160mΩ | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6859 | $ 2.6859 |
| 10+ | $2.6226 | $ 26.2260 |
| 30+ | $2.5794 | $ 77.3820 |
| 100+ | $2.5378 | $ 253.7800 |
