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HXY MOSFET HCG65200DAA


メーカー
メーカー部品番号
HCG65200DAA
EBEE部品番号
E822396442
パッケージ
DFN-8(8x8)
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$2.6859$ 2.6859
10+$2.6226$ 26.2260
30+$2.5794$ 77.3820
100+$2.5378$ 253.7800
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タイプ説明
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カテゴリ窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT)
データシートHXY MOSFET HCG65200DAA
RoHS
RDS(オン)160mΩ
Pd - Power Dissipation75W
Drain to Source Voltage650V

ショッピングガイド

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