| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CID45N65MD |
| EBEE部品番号 | E841369700 |
| パッケージ | TOLT-16 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TOLT-16 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9444 | $ 5.9444 |
| 10+ | $5.1204 | $ 51.2040 |
| 30+ | $4.6186 | $ 138.5580 |
| 100+ | $4.1963 | $ 419.6300 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| データシート | Tokmas CID45N65MD | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 35mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.26pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 443pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 135pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9444 | $ 5.9444 |
| 10+ | $5.1204 | $ 51.2040 |
| 30+ | $4.6186 | $ 138.5580 |
| 100+ | $4.1963 | $ 419.6300 |
