| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CID10N65E3 |
| EBEE部品番号 | E841369699 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0535 | $ 1.0535 |
| 10+ | $0.8900 | $ 8.9000 |
| 30+ | $0.7993 | $ 23.9790 |
| 100+ | $0.6993 | $ 69.9300 |
| 500+ | $0.6539 | $ 326.9500 |
| 1000+ | $0.6322 | $ 632.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | Tokmas CID10N65E3 | |
| RoHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0535 | $ 1.0535 |
| 10+ | $0.8900 | $ 8.9000 |
| 30+ | $0.7993 | $ 23.9790 |
| 100+ | $0.6993 | $ 69.9300 |
| 500+ | $0.6539 | $ 326.9500 |
| 1000+ | $0.6322 | $ 632.2000 |
