Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
PN Junction Semiconductor P1H06300D8
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | P1H06300D8 |
| EBEE部品番号 | E85840753 |
| パッケージ | DFN8080-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | DFN8080-8 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | PN Junction Semiconductor P1H06300D8 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| パワーディシパレーション | 55.5W | |
| 排水源の故障電圧 | 650V | |
| トランジスタタイプ | 1 N-Channel | |
| 連続的な排水の流れ | 10A |
ショッピングガイド
展開
在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
