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NXP Semicon A3G26H200W17SR3
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | A3G26H200W17SR3 |
| EBEE部品番号 | E83288699 |
| パッケージ | NI-780S-4S2S |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | NI-780S-4S2S GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | NXP Semicon A3G26H200W17SR3 | |
| RoHS |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
