| メーカー | |
| メーカー部品番号 | A3G18H500-04SR3 |
| EBEE部品番号 | E85196407 |
| パッケージ | SOT-1826-1 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | SOT-1826-1 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | NXP Semicon A3G18H500-04SR3 | |
| RoHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
