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NITRIDE YHJ-65P150AMC
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YHJ-65P150AMC |
| EBEE部品番号 | E822458936 |
| パッケージ | DFN-8(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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1620 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8303 | $ 0.8303 |
| 10+ | $0.7493 | $ 7.4930 |
| 30+ | $0.7052 | $ 21.1560 |
| 100+ | $0.6540 | $ 65.4000 |
| 500+ | $0.6327 | $ 316.3500 |
| 1000+ | $0.6214 | $ 621.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| データシート | NITRIDE YHJ-65P150AMC | |
| RoHS | ||
| Type | - | |
| RDS(on) | 150mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 505pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 29pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC |
ショッピングガイド
展開
1620 Stock for Shipping Fast
1620 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8303 | $ 0.8303 |
| 10+ | $0.7493 | $ 7.4930 |
| 30+ | $0.7052 | $ 21.1560 |
| 100+ | $0.6540 | $ 65.4000 |
| 500+ | $0.6327 | $ 316.3500 |
| 1000+ | $0.6214 | $ 621.4000 |
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