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NITRIDE YHJ-65P080DA
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YHJ-65P080DA |
| EBEE部品番号 | E837328928 |
| パッケージ | DFN-8(8x8) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 窒化ガリウム(GaN)デバイス ,GaNトランジスタ(GaN HEMT) | |
| データシート | NITRIDE YHJ-65P080DA | |
| RoHS |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
