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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212080NCTG1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | YJD212080NCTG1 |
| Código da Peça EBEE | E820605692 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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25 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5218 | $ 6.5218 |
| 10+ | $5.6604 | $ 56.6040 |
| 30+ | $5.1367 | $ 154.1010 |
| 90+ | $4.6965 | $ 422.6850 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212080NCTG1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 80mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 220W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 890pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC |
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| 10+ | $5.6604 | $ 56.6040 |
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