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Tokmas CI7N170SM
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CI7N170SM |
| Código da Peça EBEE | E82842690 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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715 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5003 | $ 3.5003 |
| 10+ | $3.0571 | $ 30.5710 |
| 30+ | $2.0475 | $ 61.4250 |
| 90+ | $1.7652 | $ 158.8680 |
| 510+ | $1.6358 | $ 834.2580 |
| 1020+ | $1.5806 | $ 1612.2120 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Tokmas CI7N170SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 850mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 194pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
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715 Stock for Shipping Fast
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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|---|---|---|
| 1+ | $3.5003 | $ 3.5003 |
| 10+ | $3.0571 | $ 30.5710 |
| 30+ | $2.0475 | $ 61.4250 |
| 90+ | $1.7652 | $ 158.8680 |
| 510+ | $1.6358 | $ 834.2580 |
| 1020+ | $1.5806 | $ 1612.2120 |
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