| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IV1Q12050T4 |
| Código da Peça EBEE | E82924638 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.4145 | $ 18.4145 |
| 10+ | $17.2532 | $ 172.5320 |
| 30+ | $15.9944 | $ 479.8320 |
| 90+ | $14.8963 | $ 1340.6670 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | InventChip IV1Q12050T4 | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 344W | |
| Corrente de drenagem contínua | 58A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.4145 | $ 18.4145 |
| 10+ | $17.2532 | $ 172.5320 |
| 30+ | $15.9944 | $ 479.8320 |
| 90+ | $14.8963 | $ 1340.6670 |
