Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
SUPSiC GC3M0016120D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC3M0016120D |
| Código da Peça EBEE | E87435039 |
| Pacote | TO247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>108 Em Estoque para Envio Rápido
108 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7187 | $ 17.7187 |
| 10+ | $16.2961 | $ 162.9610 |
| 30+ | $14.9879 | $ 449.6370 |
| 90+ | $13.8447 | $ 1246.0230 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC3M0016120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 16mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 556W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.085nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | 207nC |
Guia de Compras
Expandir
108 Stock for Shipping Fast
108 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7187 | $ 17.7187 |
| 10+ | $16.2961 | $ 162.9610 |
| 30+ | $14.9879 | $ 449.6370 |
| 90+ | $13.8447 | $ 1246.0230 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
