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Power X KXMW120R80T3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | KXMW120R80T3 |
| Código da Peça EBEE | E820607110 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0573 | $ 7.0573 |
| 10+ | $6.1859 | $ 61.8590 |
| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Power X KXMW120R80T3 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 251W | |
| Continuous Drain Current | 49A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
Guia de Compras
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0573 | $ 7.0573 |
| 10+ | $6.1859 | $ 61.8590 |
| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
