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SUPSiC GC3M0060065K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC3M0060065K |
| Código da Peça EBEE | E87435031 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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255 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2604 | $ 5.2604 |
| 10+ | $4.5566 | $ 45.5660 |
| 30+ | $3.8512 | $ 115.5360 |
| 90+ | $3.4286 | $ 308.5740 |
| 600+ | $3.2347 | $ 1940.8200 |
| 900+ | $3.1458 | $ 2831.2200 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC3M0060065K | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 60mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC |
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| 30+ | $3.8512 | $ 115.5360 |
| 90+ | $3.4286 | $ 308.5740 |
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