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Tokmas CI90N120SM4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CI90N120SM4 |
| Código da Peça EBEE | E85364637 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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2 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7868 | $ 7.7868 |
| 10+ | $6.6709 | $ 66.7090 |
| 30+ | $5.9905 | $ 179.7150 |
| 90+ | $5.4190 | $ 487.7100 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Tokmas CI90N120SM4 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 38mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 42.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 463W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 90A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 231pF | |
| Gate Charge(Qg) | 185nC |
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