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onsemi NTH4L045N065SC1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NTH4L045N065SC1 |
| Código da Peça EBEE | E82902168 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.6365 | $ 14.6365 |
| 10+ | $13.9832 | $ 139.8320 |
| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | onsemi NTH4L045N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Output Capacitance(Coss) | 162pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.6365 | $ 14.6365 |
| 10+ | $13.9832 | $ 139.8320 |
| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
