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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212040NCFG2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | YJD212040NCFG2 |
| Código da Peça EBEE | E820605668 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>6 Em Estoque para Envio Rápido
6 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6170 | $ 9.6170 |
| 10+ | $8.3486 | $ 83.4860 |
| 30+ | $7.5756 | $ 227.2680 |
| 90+ | $6.9288 | $ 623.5920 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212040NCFG2 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 44mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 7.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 333W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 66A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.456nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC |
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| 1+ | $9.6170 | $ 9.6170 |
| 10+ | $8.3486 | $ 83.4860 |
| 30+ | $7.5756 | $ 227.2680 |
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