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Tokmas CI90N120SM


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
CI90N120SM
Código da Peça EBEE
E85364636
Pacote
TO-247-3
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
Descrição
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Em Estoque: 147
Mínimo: 1Múltiplos: 1
Preço Unitário
$ 12.1314
Preço Ext.
$ 12.1314
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$12.1314$ 12.1314
10+$10.6433$ 106.4330
30+$9.7305$ 291.9150
90+$8.9647$ 806.8230
Melhor preço para maior quantidade?
$
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET)
Folha de DadosTokmas CI90N120SM
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+150℃
Dissipação de energia463W
Carga total do portão164nC
Corrente de drenagem contínua90A
Capacitância de Transferência Reversa42.8pF
Entência de entrada4700pF
Capacitância de saída231pF
Configuração-
Tipo de canal1 N-Channel
Resistência ao drena-source no Estado (15V)-
Resistência de drenagem no Estado (18V)-
Resistência de drenagem-solço no Estado (20V)27mΩ
Vgs (mil)2.5V
Tipo encapsuladoSingle Tube
V (BR)DSS1200V
Resistência no Estado(10V) da Drenagem-Source-

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