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Tokmas CI72N170SM
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CI72N170SM |
| Código da Peça EBEE | E841782025 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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142 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Tokmas CI72N170SM | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | - | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 6.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 165pF | |
| Gate Charge(Qg) | 193nC |
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| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
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