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Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS)
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CI60N120SM5(TOKMAS) |
| Código da Peça EBEE | E821547659 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9649 | $ 3.9649 |
| 10+ | $3.4030 | $ 34.0300 |
| 30+ | $2.9795 | $ 89.3850 |
| 90+ | $2.6417 | $ 237.7530 |
| 510+ | $2.4861 | $ 1267.9110 |
| 1020+ | $2.4160 | $ 2464.3200 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 60mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 11.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 118pF | |
| Gate Charge(Qg) | 128nC |
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