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Tokmas CI60N120SM4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CI60N120SM4 |
| Código da Peça EBEE | E82980704 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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146 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2948 | $ 4.2948 |
| 10+ | $3.6994 | $ 36.9940 |
| 30+ | $3.1881 | $ 95.6430 |
| 90+ | $2.8309 | $ 254.7810 |
| 510+ | $2.6642 | $ 1358.7420 |
| 1020+ | $2.5896 | $ 2641.3920 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Tokmas CI60N120SM4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 45mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 29pF | |
| Pd - Power Dissipation | 330W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC |
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| 30+ | $3.1881 | $ 95.6430 |
| 90+ | $2.8309 | $ 254.7810 |
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