Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Tokmas CI40N65SM(TOKMAS)
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CI40N65SM(TOKMAS) |
| Código da Peça EBEE | E818214413 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>167 Em Estoque para Envio Rápido
167 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Tokmas CI40N65SM(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 65mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
Guia de Compras
Expandir
167 Stock for Shipping Fast
167 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
