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Tokmas CI30N120M4(TOKMAS)
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CI30N120M4(TOKMAS) |
| Código da Peça EBEE | E821547658 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>131 Em Estoque para Envio Rápido
131 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7509 | $ 2.7509 |
| 10+ | $2.3409 | $ 23.4090 |
| 30+ | $2.0005 | $ 60.0150 |
| 90+ | $1.7375 | $ 156.3750 |
| 510+ | $1.6184 | $ 825.3840 |
| 1020+ | $1.5673 | $ 1598.6460 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Tokmas CI30N120M4(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 96mΩ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
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131 Stock for Shipping Fast
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| 1+ | $2.7509 | $ 2.7509 |
| 10+ | $2.3409 | $ 23.4090 |
| 30+ | $2.0005 | $ 60.0150 |
| 90+ | $1.7375 | $ 156.3750 |
| 510+ | $1.6184 | $ 825.3840 |
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