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SUPSiC GC3M0080120K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC3M0080120K |
| Código da Peça EBEE | E821547378 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6639 | $ 4.6639 |
| 10+ | $3.9884 | $ 39.8840 |
| 30+ | $3.5859 | $ 107.5770 |
| 90+ | $3.1787 | $ 286.0830 |
| 450+ | $2.9909 | $ 1345.9050 |
| 900+ | $2.9057 | $ 2615.1300 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC3M0080120K | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 90mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -40℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
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| 1+ | $4.6639 | $ 4.6639 |
| 10+ | $3.9884 | $ 39.8840 |
| 30+ | $3.5859 | $ 107.5770 |
| 90+ | $3.1787 | $ 286.0830 |
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